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机译:具有PE-SiN封盖的PMOSFET的动态NBTI特性
Institute of Electronics, National Chiao Tung University, 1001 Ta-Hsueh Rd., Hsinchu 30050, Taiwan, ROC;
机译:Si覆盖层对高迁移率沟道Ge-on-Si Pmosfets界面质量和Nbti的影响
机译:在替换金属闸门PMOSFET中洞察TIN厚度缩放对DC和AC NBTI特性的影响
机译:pMOSFET器件在FN和NBTI应力下界面陷阱的通用弛豫特性
机译:PE-SiN封顶的PMOSFET中的DC和AC NBTI应力
机译:将季节性和空间流碳动力学联系起来的奥林匹克半岛选定流域的景观特征
机译:少年驼鹿应力和营养动态与冬季蜱景观特征气候介导的因素和生存
机译:在SiGe / Si-yex-yeration-anightn-PMOSFET的瞬态电荷泵送特性中观察到的异色碰撞陷阱中载体的捕获/排放过程
机译:机械编号的风洞调查从0.30到1.14改变的汞逃逸和出口胶囊配置的静态空气动力学特征