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机译:基于HfSiO(N)的MOSFET的负偏置温度不稳定性:电特性和建模
IMEC, 75 Kapeldreef, B-3001 Leuven, Belgium;
机译:具有Hf_xZr_(1-x)O_2和HfO_2 /金属栅叠层的p-MOSFET在动态负偏置应力和负偏置温度不稳定性之后的异常栅极电流驼峰
机译:全能栅极硅纳米线MOSFET的负偏压温度不稳定性:特性建模及其对电路老化的影响
机译:对高级p-MOSFET中的负偏置温度不稳定性进行建模
机译:HFSIO(N)/ TAN和SIO / POLY-SI PMOSFET中负偏置温度不稳定性的比较
机译:二氧化硅和基于等离子体氮化的氧化物的pMOSFET的负偏置温度不稳定性所涉及的原子尺度缺陷。
机译:热收支对沉积HfSiO / TiN栅堆叠MOSCAP结构的原子层电学特性的影响
机译:具有GeO2 / Al2O3堆叠的Ge MOSFET的负偏压温度不稳定性的表征