首页> 外文期刊>Microelectronics reliability >dc-Conduction mechanism in lanthanum-manganese oxide films grown on p-Si substrate
【24h】

dc-Conduction mechanism in lanthanum-manganese oxide films grown on p-Si substrate

机译:p-Si衬底上生长的镧锰氧化物薄膜的dc传导机理

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Thin films of (La-Mn) double oxide were prepared on p-Si substrates for electrical investigations. The samples have been characterised by X-ray fluorescence (XRF) and X-ray diffraction (XRD) methods. The XRF spectrum was used to determine the weight fract
机译:在p-Si衬底上制备了(La-Mn)双氧化物薄膜,用于电学研究。样品已通过X射线荧光(XRF)和X射线衍射(XRD)方法进行了表征。 XRF光谱用于确定重量分数

著录项

  • 来源
    《Microelectronics reliability》 |2008年第3期|395-400|共6页
  • 作者

    A.A. Dakhel;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号