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机译:体硅RF功率LDMOS晶体管的击穿击穿分析
机译:具有法拉第屏蔽的RF LDMOS功率晶体管的漏源击穿电压分析模型
机译:集成了电源管理电路的块状硅和绝缘体上硅基板上基于改进LDMOS工艺的高效蜂窝功率放大器
机译:改善InGaAs LDMOS功率晶体管的击穿电压,导通电阻和栅极电荷
机译:射频体LDMOS晶体管的穿通效应
机译:块状硅锗异质结双极晶体管工艺的特征在于单事件效应分析和电荷收集机制。
机译:原位ATR-FTIR用于动态分析纳米结构硅表面上的超疏水性
机译:RF功率LDmOsFET在薄膜sOI和体硅上的实验比较