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机译:研究SOI部分耗尽的体接触MOSFET上的静态和动态热载流子应力引入的缺陷
Physics Department, National and Kapodistrian University of Athens, Panepistimioupolis, Athens 15784, Greece;
Physics Department, National and Kapodistrian University of Athens, Panepistimioupolis, Athens 15784, Greece;
IMEP (UMR CNRS/INPG/UJF) Grenoble INP-Minatec BP257, Cedex 1, Grenoble 38016, France;
IMEP (UMR CNRS/INPG/UJF) Grenoble INP-Minatec BP257, Cedex 1, Grenoble 38016, France;
机译:SOI PD MOSFET中交流和直流热载流子应力引入的缺陷
机译:热载流子应力对部分耗尽SOI nMOSFET的薄栅氧化物的栅极感应浮体效应和漏极电流瞬变的影响
机译:外部偏置对低温下部分耗尽的SOI N-MOSFET的热载流子退化的影响
机译:具有超薄栅极电介质的部分耗尽SOI MOSFET的DC和AC热载流子特性
机译:适用于部分耗尽型绝缘体上硅(SOI)MOSFET的面积有效体接触。
机译:具有高k La2O3 / ZrO2栅极电介质的肖特基势垒SOI-MOSFET
机译:在改进的晶片上制造的130nm部分耗尽的SOI PMOSFET中由热载体注射诱导的降解