机译:负偏置温度不稳定性导致的各种工艺步骤对PMOSFET可靠性的影响
ST Microelectronics, Zone Industrielle Rousset, 13790 Rousset, France CNRS, Institut Materiaux, Microelectronique et Nanosciences de Provence (IM2NP, UMR 6242). Maison des Technologies, Place Georges Pompidou, F-83000 Toulon, France;
ST Microelectronics, Zone Industrielle Rousset, 13790 Rousset, France CNRS, Institut Materiaux, Microelectronique et Nanosciences de Provence (IM2NP, UMR 6242), Maison des Technologies, Place Georges Pompidou, F-83000 Toulon, France;
ST Microelectronics, Zone Industrielle Rousset, 13790 Rousset, France;
ST Microelectronics, Zone Industrielle Rousset, 13790 Rousset, France;
Institut Superieur de l'Electronique et du Numerique (ISEN-Toulon), IM2NP, France CNRS, Institut Materiaux, Microelectronique et Nanosciences de Provence (IM2NP, UMR 6242), Maison des Technologies, Place Georges Pompidou, F-83000 Toulon, France;
机译:体偏置对具有SiON栅极电介质的pMOSFET中负偏置温度不稳定性的影响
机译:具有低温Si2H6钝化功能的锗PMOSFET具有高空穴迁移率和出色的负偏置温度不稳定性
机译:负偏置温度不稳定性下纳米SiON pMOSFET功率定律参数的提取方法
机译:PMOSFET的负偏置温度不稳定性的过程依赖性
机译:二氧化硅和基于等离子体氮化的氧化物的pMOSFET的负偏置温度不稳定性所涉及的原子尺度缺陷。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:表征pmOsFET的负偏压温度不稳定性和寿命预测
机译:空间电子可靠性的基本问题。负偏压温度不稳定