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机译:SiO_xC_yN_z:H系统中PECVD薄膜的本征应力断裂能测量
Portland Technology Development, Intel Corporation, Hillsboro, OR 97124, United States;
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机译:VHF-PECVD制备本征微晶硅薄膜的活化能研究
机译:用压痕断裂法测量沉积在硅晶片上的薄膜中的残余应力
机译:测量微晶硅薄膜中本征和激光加热引起的应力
机译:薄膜应力对PECVD SiN_x:H薄膜纳米压痕断裂韧性测量的影响
机译:有限薄膜/基板系统中非均匀应力状态的分析:需要全场曲率测量。
机译:使用超薄Pt催化剂通过PECVD在GaN LED外延片上生长类似于石墨烯的无转移薄膜用于透明电极应用
机译:关于薄膜系统的微机械原位测量关于残留应力,断裂性能和界面韧性的测定