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机译:书评

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摘要

Defects in Microelectronic Materials and Devices has 22 chapters and a total of 753 pages. Each chapter has a reference list averaging four pages. This fact demonstrates that the authors did a thorough job of acknowledging the contributions of other researchers in the field. The chapters present details on the types of semiconductor device defects and their influence on performance-related issues. Some of the issues discussed are well-known among researchers, while some are not completely understood but are currently being investigated.
机译:微电子材料和器件中的缺陷共有22章,共753页。每章都有一个参考列表,平均四页。这一事实表明,作者在承认该领域其他研究人员的贡献方面做得很透彻。本章详细介绍了半导体器件缺陷的类型及其对性能相关问题的影响。讨论的一些问题在研究人员中众所周知,而一些问题尚未完全理解,但目前正在调查中。

著录项

  • 来源
    《Microelectronics reliability》 |2009年第7期|821-822|共2页
  • 作者

    Ahmed Amin;

  • 作者单位

    Center for Advanced Life Cycle Engineering (CALCE), University of Maryland, College Park, MD 20741, United States;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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