机译:基于AlGaAs和InGaAsP的法布里-珀罗激光二极管的ESD敏感性
Department of Electronics (DIIIE), Salerno University, Via Ponte Don Melillo 1, 84084 Fisciano (SA),Italy;
机译:高功率和高亮度InGaAs-InGaAsP-AlGaAs量子阱二极管激光器的设计考虑和性能(/ spl lambda / = 0.98 / spl mu / m)
机译:高功率和高亮度InGaAs-InGaAsP-AlGaAs量子阱二极管激光器的设计考虑和性能(Λ= 0.98μm)
机译:利用数值模拟对InGaAsP和AlGaAs MQW激光器的温度敏感性进行比较研究
机译:基于InGaAsP隔离层和带有AlGaAs包层的波导层的大功率二极管激光器
机译:大功率近谐振1.55微米发射InGaAsP / InP反导二极管激光器阵列。
机译:基于法布里-珀罗激光二极管和双阶段FBG光学多路分解器的分布式同时应变和温度传感器的性能
机译:基于注入锁定法布里-珀罗激光二极管的无色WDM-PON中的16x2.5 Gbit / s下行传输,使用单个Quantum Dash锁模法布里-珀罗激光器作为多波长种子源
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率