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机译:微观建模的DMOS FET参数漂移动力学
STMicroelectronics, Via Tolomeo, 1, 20010 Cornaredo, MI, Italy;
机译:LDMOSFET器件的建模和参数提取
机译:LADISPICE-1.2:非平面漂移横向DMOS晶体管模型及其在为IC TCAD供电中的应用
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机译:步进漂移LDMOSFET:一种用于先进智能电源技术的新型漂移区工程器件
机译:协方差结构模型中违反参数漂移假设的后果
机译:研究项目参数漂移对具有混合分布的项目响应理论模型的影响
机译:湍流模型动力学理论:小参数,尺度和尺度 smagorinsky模型的微观推导