机译:结合和金属化时效的3D电热建模,可提高功率MOSFET的可靠性
CNRS, LAAS, 7 avenue du Colonel Roche, F-31077 Toulouse, France,University de Toulouse, UPS, INSA INP, ISAE, LAAS, F-31077 Toulouse, France;
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Freescale Semiconducteurs France SAS, 134 avenue du General Eisenhower, 31023 Toulouse. France;
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机译:超低导通态电阻功率MOSFET可靠性的3D电热研究
机译:动态IGBT模型:应用于短路操作期间顶层金属老化对芯片电热分布的影响
机译:IGBT芯片的分布式电热模型-短路条件下顶层金属时效的应用
机译:用Mathematica的电气MOSFET电热模型和可靠性电路分析新技术
机译:大信号电热LDMOSFET建模以及RF功率放大器中的热存储效应。
机译:分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
机译:非交错感应开关下超结功率mOsFET的新型三维电热鲁棒性优化方法
机译:模拟重载粒子对mOsFET的影响(金属氧化物半导体场效应晶体管)