机译:硅晶缺陷引起功率MOSFET击穿电压波动的机理
Freescale Semiconducteurs France SAS, Toulouse Product Analysis Lab., 134 Avenue du General Eisenhower, B.P. 72329, 31023 Toulouse, Cedex, France;
机译:用于模拟应用的应变硅MOSFET:利用超临界厚度应变层实现低漏电流和高击穿电压
机译:MOSFET上恒定电压应力的薄氧化物击穿机理
机译:双材料门技术可增强沟道功率MOSFET的跨导和击穿电压
机译:沟道场板功率MOSFET的击穿电压不稳定机制和提高的耐用性
机译:中子辐照对功率MOSFET击穿电压的影响
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:高压SiC电源MOSFET中单事件烧坏的离子诱导能量脉冲机制及结屏障肖特基二极管
机译:电离辐射对功率mOsFET击穿电压的影响