机译:功率半导体器件中铝金属化层退化的影响研究
SATIE, ENS de Cachan, CNRS, CNAM, UniverSud Paris 61 Av. du President Wilson, 94235 Cachan, France,LMT, ENS de Cachan, CNRS, UniverSud Paris 61 Av. du President Wilson, 94235 Cachan, France;
SATIE, ENS de Cachan, CNRS, CNAM, UniverSud Paris 61 Av. du President Wilson, 94235 Cachan, France;
LMT, ENS de Cachan, CNRS, UniverSud Paris 61 Av. du President Wilson, 94235 Cachan, France;
SATIE, ENS de Cachan, CNRS, CNAM, UniverSud Paris 61 Av. du President Wilson, 94235 Cachan, France;
Microsemi Power Module Products, 26 rue de Campilleau, F33520 Bruges, France;
机译:功率半导体器件中管芯金属化层老化的影响
机译:硅金属氧化物半导体器件中SiO2,Al2O3和BeO超薄界面势垒层的比较研究
机译:利用涡流技术研究功率电子半导体器件金属化老化的非接触特性
机译:功率半导体器件金属化层老化的研究
机译:烷烃硫醇自组装单分子层,反应性自组装单分子层,扁平金纳米颗粒/铟锡氧化物基质的生长介质和温度依赖性结构相的扫描隧道显微镜研究,以及互补金属氧化物中局部机械应力表征的扫描表面光电压显微镜研究半导体器件。
机译:MOVPE在晶圆级厚氮化硼层上的柔性金属-半导体-金属器件原型
机译:溶液处理的金属氧化物半导体及其器件的超薄层中的量子能态签名
机译:电气过压导致mOs(金属氧化物半导体)器件噪声特性的降低