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机译:MOSFET源极/漏极电阻的自洽提取程序
Department of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Yuniin 64002, Taiwan;
Department of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Yuniin 64002, Taiwan;
机译:间接拟合程序可分离MOSFET参数提取中迁移率降低和源漏电阻的影响
机译:一种新颖的单器件直流方法,用于提取新鲜的和热载流子退化的漏极工程MOSFET的有效迁移率和源极-漏极电阻
机译:关于MOSFET的非对称寄生源极和漏极电阻的DC提取
机译:确定高级MOSFET的源极/漏极串联电阻和有效沟道长度的简单程序
机译:具有再生源极-漏极区和ALD介电层的最后栅极铟镓砷MOSFET。
机译:自对准顶栅共面InGaZnO薄膜晶体管的横向载流子扩散和源漏串联电阻的研究
机译:垂直mOsFET中的串联电阻,具有减少的漏极/源极重叠电容