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机译:陷阱分布不均对DLTS研究结果的影响
Institute of Electron Technology, Department of Analysis of Semiconductor Nanostructures, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland;
Institute of Electron Technology, Department of Analysis of Semiconductor Nanostructures, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland;
Institute of Electron Technology, Department of Analysis of Semiconductor Nanostructures, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland,Chalmers University of Technology, Department of Microtechnology and Nanoscience, SE-412 96 Goeteborg, Sweden;
机译:不均匀的浅层电荷分布对DLTS实验结果的影响
机译:点源在非均质磁等离子体中俘获的电子伯恩斯坦波的场分布
机译:在DLTS测量中通过改变填充脉冲宽度研究InAs / GaAs自组装量子点中的载流子俘获和发射过程
机译:I-DLTS,电滞后和低频噪声测量,用于可靠性研究中的AlGaN / GaN HEMT中的俘获效应
机译:时空因素对马达加斯加萨瓦地区小哺乳动物诱捕和物种分布的影响
机译:蒙特卡洛研究在低能X射线放射治疗中金纳米颗粒的均匀和不均匀分布增强剂量
机译:ESR研究捕获在不均可聚合丙烯腈中的基团