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机译:在电气特性击穿区域中,边缘电流导致半导体PN结工作期间的故障
National R&D Institute for Micmtechnology (IMT) Bucharest, Romania;
National R&D Institute for Micmtechnology (IMT) Bucharest, Romania;
School of Electrical&Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore;
Department of Electrical Engineering and Electronics, The Liverpool University, L69 3BX Liverpool, UK;
机译:带有氧化物半导体势垒的磁性隧道结中的室温侧栅感应电流调制,用于垂直自旋MOSFET操作
机译:电子束光刻技术引起的线边缘粗糙度对50 nm技术的N型金属氧化物半导体晶体管电特性影响的三维模拟
机译:MOS场致pn结的空间电荷区域中的重组电流测量
机译:反向I-V特性击穿区域附近或击穿区域中的半导体PN结故障
机译:半导体纳米线中的光-物质相互作用:光效应晶体管以及电子-声子耦合和电特性的光诱导变化。
机译:基于边缘金属-半导体-金属结的高灵敏度薄膜太赫兹检测器
机译:商用半导体器件的pn结中的散射和边缘(表面)泄漏反向电流
机译:用低能电测量确定半导体结对二次击穿的脆弱性。