...
机译:单空位缺陷位置对碳纳米管稳定性的影响
Department of Microelectronics, Delft University of Technology, Feldmannweg 17, 2628 CT Delft, The Netherlands;
Department of Microelectronics, Delft University of Technology, Feldmannweg 17, 2628 CT Delft, The Netherlands;
Department of Microelectronics, Delft University of Technology, Feldmannweg 17, 2628 CT Delft, The Netherlands;
Department of Microelectronics, Delft University of Technology, Feldmannweg 17, 2628 CT Delft, The Netherlands Philips Lighting, Mathildelaan 1, 5617 BD Eindhoven, The Netherlands;
机译:空缺缺陷的单壁碳纳米管的不稳定性
机译:拓扑缺陷和硅藻空位对之字形单壁碳纳米管的特征振动模式和拉曼强度的影响
机译:掺杂,石质和空位缺陷对单壁碳纳米管导热系数的影响
机译:(3,3)单壁碳纳米管具有空位缺损的原子氢吸附的密度函数理论计算
机译:嵌入式纳米传感器使用柔性,光学透明,变形敏感的起皱的单壁碳纳米管网格进行缺陷识别。
机译:与VC相比有序碳空位对V8C7的稳定性和热机械性能的影响
机译:关于位置依赖缺陷形成的理论研究 单壁碳纳米管:朝向开口端的稳定性