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机译:N_2和Ar气体添加剂对高速化学干法稀化过程中硅片表面光滑度和断裂强度的影响
School of Advanced Materials Science & Engineering, Center for Advanced Plasma Surface Technology, Sungkyunkwan University, 300 Chenoncheon-dong, Suwon,Cyeonggi-do 440-746, Republic of Korea;
School of Advanced Materials Science & Engineering, Center for Advanced Plasma Surface Technology, Sungkyunkwan University, 300 Chenoncheon-dong, Suwon,Cyeonggi-do 440-746, Republic of Korea,SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Samsung Advanced Institute for Health Sciences and Technology (SAIHST), Sungkyunkwan University, 300 Chenoncheon-dong,Suwon, Cyeonggi-do 440-746, Republic of Korea;
机译:通过高速化学干燥减薄硅片过程中的气体浓度变化来提高弯曲应力并降低表面粗糙度
机译:硅片高速化学干法减薄过程中的表面粗糙度控制
机译:各种添加气体对F_2 / Ar远程等离子体中低k:SiOCH层化学干蚀刻速率增强的影响
机译:添加剂气体(Ar,N_2,H_2,Cl_2,O_2)对HCl等离子体参数和组成的影响
机译:半导体晶片的化学机械抛光:预测晶片表面形状的表面元素建模和仿真
机译:通过分子方法探测化学异质表面上的表面张力加性
机译:用于高芯片强度的湿化学硅晶片细化工艺
机译:薄(周期正弦3 mIL)7070保护玻璃与Ta2O5 aR涂层薄(周期正弦2 mIL)硅晶片和太阳能电池的静电结合