机译:铜扩散对光亮锡层上生长的晶须形状的影响
National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan Department of Electronics Technology, Budapest University of Technology and Economics, Coldmann Gy. Sqr. 3, Building V2, Budapest 1111, Hungary;
机译:氧化铜层不均匀对小直径SnAg微凸点锡晶须生长和锡晶须生长行为的影响
机译:ALD生长的种子层,用于与不同扩散阻挡系统集成的电化学铜沉积
机译:由固态扩散法生长的绿色发射铈掺杂CAS晶须
机译:铜扩散与表面氧化物形成与锡须生长的关系
机译:操作条件对NaHCO3铜铜阳性薄膜形态和组成的影响
机译:在Si(001)晶片和Cu覆盖层之间通过混合溅射技术生长的增强的Ti0.84Ta0.16N扩散阻挡层无需基板加热即可生长
机译:ALD生长的种子层,用于与不同扩散阻挡系统集成的电化学铜沉积