机译:在工艺变化的情况下,针对纳米级CMOS技术的低成本软错误硬化锁存器设计
Department of Electrical Engineering, Sharif University of Technology, Iran;
Department of Electrical Engineering, Sharif University of Technology, Iran;
Department of Computer Engineering, Iran University of Science and Technology, Iran;
机译:用于纳米级CMOS技术的高性能,低成本和鲁棒性的软容错锁存器设计
机译:考虑到工艺,电压和温度变化的新型防辐射闩锁设计,适用于纳米级CMOS技术
机译:采用65 nm CMOS技术的低成本和高度可靠的辐射硬化闩锁设计
机译:用于纳米级CMOS技术的高鲁棒性和低成本软错误硬化锁存器设计
机译:纳米技术中的超低功耗和耐工艺变化VLSI电路设计
机译:0.18 µm CMOS工艺中的高速,低偏移动态锁存比较器的设计
机译:用于纳米级CMOS的新型低成本,双和三维损伤耐受锁存设计