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FIB-induced electro-optical alterations in a DFB InP laser diode

机译:DFB InP激光二极管中FIB诱导的电光变化

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摘要

A recent experiment used FIB to induce local modification in a single-mode edge emitting laser operating at 1310 nm, and led to a method for estimating gain parameters. In this experiment, the final FIB modification introduced large variation in electrical characteristics that were not analysed in detail, and even seemed to contradict the basic laser model that the experiment itself aimed to confirm. This paper focuses on this puzzling point, and solves it with a circuital hypothesis, a circuit simulation and a direct inspection by XEBIC.
机译:最近的实验使用FIB在工作于1310 nm的单模边缘发射激光器中引起局部修改,并导致了一种估计增益参数的方法。在该实验中,最终的FIB修改引入了电气特性的较大变化,没有进行详细分析,甚至似乎与实验本身旨在确认的基本激光模型相矛盾。本文着眼于这个令人困惑的问题,并通过电路假设,电路仿真和XEBIC的直接检查解决了这一难题。

著录项

  • 来源
    《Microelectronics & Reliability》 |2014年第10期|2151-2153|共3页
  • 作者

    G. Mura; M. Vanzi; G. Marcello;

  • 作者单位

    DIEE, University of Cagliari, Piazza d'Armi, 09123 Cagliari, Italy;

    DIEE, University of Cagliari, Piazza d'Armi, 09123 Cagliari, Italy;

    DIEE, University of Cagliari, Piazza d'Armi, 09123 Cagliari, Italy;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    User diode; XEBIC; Focussed ion beam;

    机译:用户二极管;XEBIC;聚焦离子束;

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