机译:梯度衬底缺陷在汽车混合模式半导体器件上产生的信号噪声扰动
Freescale Semiconducteurs France SAS, Toulouse Product Analysis Lab, 134 avenue du General Eisenhower, B.P. 72329, 31023 Toulouse Cedex, France;
Freescale Semiconducteurs France SAS, Toulouse Product Analysis Lab, 134 avenue du General Eisenhower, B.P. 72329, 31023 Toulouse Cedex, France;
Freescale Semiconducteurs France SAS, Toulouse Product Analysis Lab, 134 avenue du General Eisenhower, B.P. 72329, 31023 Toulouse Cedex, France;
Freescale Semiconducteurs France SAS, Toulouse Product Analysis Lab, 134 avenue du General Eisenhower, B.P. 72329, 31023 Toulouse Cedex, France;
Freescale Semiconductor Inc, 1300 North Alma Road, 85224 Chandler, AZ, USA;
Freescale Semiconductor Inc, 1300 North Alma Road, 85224 Chandler, AZ, USA;
Freescale Semiconductor Inc, 1300 North Alma Road, 85224 Chandler, AZ, USA;
Mixed-mode device; Failure analysis; AC noise; SCM; SIMS; Wafer substrate defect;
机译:时域半导体器件噪声信号中的RTS噪声识别方法
机译:时域半导体器件噪声信号的RTS噪声识别方法
机译:用于低噪声放大器的完全耗尽绝缘体上硅氧化物金属氧化物半导体器件的小信号和噪声模型
机译:大信号运行中半导体器件的基于物理的噪声建模,包括低频噪声转换效应
机译:周期性大信号条件下的低频噪声半导体器件仿真。
机译:通过简单的缺陷生成工艺制造的具有快速恢复高信噪比和高响应度的低压驱动氧化物光电晶体管
机译:TCAD方法对大信号强制操作下半导体器件中的频率转换和噪声进行基于物理学的建模
机译:用于aBCs器件的低缺陷密度基板和高质量外延衬底接口以及声子介导的THz激光器的进展