机译:短通道无结三材料圆柱形环绕栅MOSFET的亚阈值行为模型
School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China;
School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China;
School of Computer Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi'an 710072, China;
School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China;
机译:纳米级短通道无结圆柱型环绕栅MOSFET的亚阈值行为模型
机译:具有源极/漏极耗尽效应的短沟道无结圆柱型环绕栅MOSFET的亚阈值电流的紧凑模型
机译:无结双材料圆柱形环绕栅MOSFET的二维分析亚阈值行为模型
机译:短通道无结圆柱环绕门mosfets亚阈行为的解析模型
机译:结合了硅锗异质结的垂直环绕栅MOSFET。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:基于表面电位的圆柱形围栅mOsFET模型