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机译:栅极长度为60 nm的MOS晶体管中阈值电压和漏极引起的势垒降低的温度依赖性
Institute of Microelectronics and Photonics, Dept of ISEE, Zhejiang University, 38 Zheda Road, Hangzhou 310027, PR China;
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机译:块状和完全耗尽的绝缘体上硅氧化物金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极引起的势垒降低和电流起始电压可变性的栅极长度和栅极宽度依赖性
机译:栅介电材料对不同沟道长度的弹道肖特基势垒石墨烯纳米带场效应晶体管和碳纳米管场效应晶体管电流-电压特性的依赖性
机译:由阈值电压和NMOS晶体管的迁移率相互作用产生的输出电压的温度依赖性
机译:漏极引起的屏障降低效应对小尺度紧张Si / SiGe NMOSFET的阈值电压的影响
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:顶部栅极石墨烯场效应晶体管中金属石墨烯触点的栅极控制肖特基势垒降低的物理模型
机译:场效应晶体管:多层MOS2场效应晶体管的阈值电压控制通过十八烷基氯硅烷及其应用于由增强模式逻辑门驱动的有源矩阵量子点显示器(小7/2019)
机译:多点室温下的阈值电压改善和栅极漏电流降低操作单电子晶体管(RT-sET)