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机译:高压漏极扩展晶体管中的截止状态劣化和相关的栅极电介质击穿:综述
Texas Instruments Inc., Dallas, TX 75243, USA;
Texas Instruments Inc., Dallas, TX 75243, USA;
Texas Instruments Inc., Dallas, TX 75243, USA;
Purdue University, West Lafayette, IN 47906, USA;
Off-state degradation; Hot carrier degradation; Drain extended MOS; Laterally diffused MOS; Correlated gate oxide breakdown; Sub-threshold degradation;
机译:GaN-on-Si高电子迁移率晶体管具有5μm栅极-漏极间距的出色稳定性,该栅极漏极间距在200 V和200℃的创纪录漏极电压下在截止状态下进行了测试
机译:利用AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的场板和低密度漏极改善截止态击穿电压
机译:质子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管截止态漏极击穿电压的影响
机译:漏极扩展PMOS晶体管断开应力的全面分析:参数降解的理论与表征和介电故障
机译:低压断路器中零电流后绝缘击穿的数值模型。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:漏极扩展PMOS晶体管的关态应力的综合分析: 参数退化和介电失效的理论与表征
机译:通过测量射频驱动下的发光,检测温度对Gaas mEsFET(金属 - 半导体场效应晶体管)中栅极 - 漏极击穿击穿的影响