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机译:负偏压温度不稳定性下的恢复行为
Yokohama Research Laboratory, Hitachi Ltd., Yokohama, Kanagawa 244-0817, Japan;
机译:正偏置温度不稳定性中的负阈值电压漂移和掺钇的HfO_2栅介质的负偏置温度不稳定性的正阈值电压漂移的研究
机译:p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的正向偏置增强的负偏置温度不稳定性恢复
机译:不同氧化物厚度的负应力电压下的负偏压温度不稳定性“恢复”
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机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:光激励对insnzno厚度变化薄膜晶体管漏电流和负偏置不稳定性的影响
机译:p-MOSFET中负偏压温度不稳定性的产生和恢复的物理机制和栅极绝缘体材料依赖性