机译:集成电路上的参数缺陷定位-从静态激光刺激到实时变化映射(RTVM)
STMicroelectronics, 12 rue Jules Horowitz, F-38019 Crenoble Cedex, France;
机译:使用光激发磷光体进行封装剂量法的辐照集成电路剂量衰减映射
机译:晶圆间的缺陷密度变化对集成电路缺陷和故障分布的影响
机译:利用动态激光刺激探测系统对边缘电路进行局部化以进行良率诊断
机译:用于IC上参数缺陷定位的实时变化映射。概念验证,改进以及对新参数的应用
机译:具有过程变化和物理缺陷的混合信号集成电路的行为建模和仿真。
机译:有机印刷光子学:从微环激光器到集成电路
机译:集成电路缺陷定位的热激光刺激模型的初步研究