机译:NBTI / PBTI老化和工艺变化对MOSFET和FinFET触发器中写入失败的影响
Univ Roma La Sapienza, Dept Informat Engn Elect & Telecommun, Rome, Italy;
Univ Roma La Sapienza, Dept Informat Engn Elect & Telecommun, Rome, Italy;
Univ Roma La Sapienza, Dept Informat Engn Elect & Telecommun, Rome, Italy;
Digital VLSI; MOSFET; FinFETs; Noise margins; NETI aging; PBTI aging; Process variations; Setup time slack;
机译:TB-SOI和DG MOSFET中与PBTI / NBTI有关的可变性
机译:考虑到NBTI / PBTI,表面取向和各种栅极电介质引起的时间变化的FinFET SRAM单元优化
机译:GF HKMG平面p-MOSFET和RMG HKMG p-FinFET中NBTI变异性和TDDS的比较分析
机译:NBTI时效和工艺变化对触发器噪声裕度的综合影响
机译:集成剂量历史的MOSFET灵敏度变化,CT剂量学中MOSFET的应用,门禁监护仪的物理特性以及基于排队论的用于筛查受污染人员的门禁监护仪使用情况分析
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:NBTI / pBTI老化和工艺变化对写入失败的影响 mOsFET和FinFET触发器