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机译:将GaN HEMT的DC寿命测试扩展到RF条件
Boeing Network & Space Syst, Technol Qualificat, El Segundo, CA 90245 USA;
Gallium nitride; GaN HEMT; High-electron mobility transistors (HEMT); Characterization; Reliability; Life testing;
机译:寿命测试系统中RF GaN HEMT的快速脉冲表征
机译:HTRB寿命测试在不同电压和温度应力下对AlGaN / GaN HEMT的影响
机译:具有多种降解机理的GaN HEMT的寿命测试
机译:使用硅功率MOSFET和GaN功率HEMT的负载点芯片级DC-DC电源转换器的性能评估
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:基于表面电位的P-GaN门垫的紧凑型造型
机译:常开型GaN HEmT技术中的DC / DC转换器,用于mmIC技术中的RF功率放大器设计