机译:增强发射极触点的IGBT模块的功率循环性能增强
ABB Semicond, Lenzburg, Switzerland;
ABB Corp Res, Baden, Switzerland;
ABB Semicond, Lenzburg, Switzerland;
ABB Semicond, Lenzburg, Switzerland;
ABB Semicond, Lenzburg, Switzerland;
Power cycling; IGBT; Reliability; Emitter contact; FEM;
机译:通过电镀发射极触点来改善IGBT模块的功率循环性能
机译:改善IGBT模块发射极触点的功率循环性能:针脚键合布局的实现和评估
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