机译:Ir和Ti基肖特基栅极AlSb / InAs高电子迁移率晶体管的器件特性
Chang Gang Univ, Dept Elect Engn, Taoyuan, Taiwan;
Chang Gang Univ, Dept Elect Engn, Taoyuan, Taiwan;
Natl Cent Univ, Dept Elect Engn, Jhongli, Taiwan;
Natl Cent Univ, Dept Elect Engn, Jhongli, Taiwan;
Natl Cent Univ, Dept Elect Engn, Jhongli, Taiwan;
Natl Cent Univ, Dept Elect Engn, Jhongli, Taiwan;
Iridium; AlSb/InAs; Hot carrier stress; Reliability;
机译:隔离栅InAs / AlSb高电子迁移率晶体管的扭结效应和噪声性能
机译:隔离栅InAs / AlSb高电子迁移率晶体管中碰撞电离的蒙特卡洛分析
机译:蒙特卡洛InAs / AlSb隔离栅高电子迁移率晶体管的扭结效应研究
机译:液相氧化的InA1As作为栅介质的InA1As / InGaAs变质高电子迁移率晶体管
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:倒置型Inalas / INAS高电子 - 移动晶体管具有液相氧化INALAS作为栅极绝缘体
机译:蒙特卡罗分析隔离闸门中的冲击电离分析/ ALSB高电子迁移率晶体管
机译:Inas / Gasb / alsb材料系统中谐振带间隧穿二极管和高电子迁移率晶体管的单片集成;杂志文章