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机译:老化的InGaN基LED封装的电参数分析
Rensselaer Polytech Inst, Lighting Res Ctr, 21 Union St, Troy, NY 12180 USA;
Rensselaer Polytech Inst, Lighting Res Ctr, 21 Union St, Troy, NY 12180 USA;
LED package; Catastrophic failure; Series resistance; Electromigration; Metal diffusion; Ohmic contact;
机译:使用参数提取方法通过内插器进行叠层封装中的过孔的电学表征
机译:通过电流应力-时间相关的hil灭InGaN基LED的异常电学和光学特性
机译:InGaN基LED中GaN / InGaN / GaN异质结构的电特性模型
机译:线键BGA封装电气参数的过程和温度变化:使用仿真的DOE方法产生影响分析
机译:LED封装在不同电流和加热应力下的电气和热参数的变化。
机译:草莓预冷过程的敏感性分析:包装设计参数和水分损失的影响
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