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机译:[131] 600 V E型GaN晶体管的短路鲁棒性的实验研究
Cnam, ENS Cachan, CNRS, SATIE, 61 Av President Wilson, F-94235 Cachan, France;
Cnam, ENS Cachan, CNRS, SATIE, 61 Av President Wilson, F-94235 Cachan, France;
Cnam, ENS Cachan, CNRS, SATIE, 61 Av President Wilson, F-94235 Cachan, France;
Cnam, ENS Cachan, CNRS, SATIE, 61 Av President Wilson, F-94235 Cachan, France|TPU Tomsk Polytech Univ, Tomsk, Russia;
GaN HEMT; Short-circuit; Test bench; Robustness; Failure; Oscillations; Dispersal; Leakage current; Destructive;
机译:坚固的600V GaN高电子迁移率晶体管技术基于硅上GaN,具有400V,5 ms的负载短路耐受能力
机译:Cascode GaN Hemts短路不稳定性的实验研究
机译:ArF 193 nm激光剥离AIGaN / GaN高电子迁移率晶体管的仿真和实验研究
机译:电气特性的分散和600V E模式GaN晶体管的短路鲁棒性
机译:隧道场效应晶体管的解析模型和GaN高电子迁移率晶体管的实验研究。
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:短路性能的实验研究 ud用于600V常关型p栅GaN HEMT
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。