机译:RF MEMS电容开关中使用的金刚石薄膜中的介电充电现象:薄膜厚度的影响
Univ Athens, Dept Phys, Athens 15784, Greece;
Univ Athens, Dept Phys, Athens 15784, Greece;
CEA, LIST, Diamond Sensors Lab, F-91191 Gif Sur Yvette, France;
CEA, LIST, Diamond Sensors Lab, F-91191 Gif Sur Yvette, France;
Univ Athens, Dept Phys, Athens 15784, Greece;
Univ Athens, Dept Phys, Athens 15784, Greece;
CEA, LIST, Diamond Sensors Lab, F-91191 Gif Sur Yvette, France;
RF MEMS switches; Reliability; Dielectric charging; Diamond; Electrical properties;
机译:用于RF MEMS电容开关的SiNx介电膜上的感应充电现象
机译:MEMS电容开关的氮化硅膜中的介电电荷:膜厚度和沉积条件的影响
机译:RF MEMS电容开关中使用的SiN薄膜中的介电充电不对称
机译:RF MEMS电容开关中使用的SIN膜上的不对称介质充电现象
机译:金薄膜中粘弹性的温度依赖性及其对RF MEMS电容开关中恢复力的影响。
机译:低力下MEMS和NEMS DC开关中接触电阻的不稳定性:外来膜在接触表面上的作用
机译:mEms电容开关alN介质薄膜电性能的比较研究
机译:用于射频mEms电容开关的替代介电薄膜,使用原子层沉积的al2O3 / ZnO合金沉积