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机译:使用Volterra级数分析雪崩区内SiGe HBT的线性度对温度的依赖性。
Natl Sun Yat Sen Univ, Dept Elect Engn, 70 Lienhai Rd, Kaohsiung 80424, Taiwan|Natl Sun Yat Sen Univ, Inst Commun Engn, 70 Lienhai Rd, Kaohsiung 80424, Taiwan;
Natl Sun Yat Sen Univ, Dept Elect Engn, 70 Lienhai Rd, Kaohsiung 80424, Taiwan;
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Temperature; SiGe HBT modeling; Avalanche breakdown; Linearity; Volterra series;
机译:基于Volterra级数的SiGe HBT高电场区的线性研究。
机译:基于Volterra级数失真分析的高线性InGaP / GaAs功率HBT发射镇流电阻设计。
机译:利用Volterra级数研究碰撞电离区的几何形状对MOSFET线性的依赖性。
机译:低温SiGE HBT的功率和线性特性分析
机译:非线性弹性体碰撞问题(VOLTERRA系列)的建模和分析。
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
机译:击穿区域不同尺寸SiGe HBT的噪声参数分析
机译:siGe HBT中寄生导带屏障形成的器件物理分析