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机译:用于基于氧化物的薄膜晶体管瞬态特性的状态子间隙密度建模
Chinese Acad Sci, Ningbo Inst Mat Technol & Engn, Ningbo 315201, Zhejiang, Peoples R China;
Modeling; Oxide-based thin film transistors (TFTs); Transient DOS;
机译:用于基于氧化物的薄膜晶体管的瞬态特性的状态子间隙密度建模(第60卷,第67页,2016)
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