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机译:3 x nm技术下DDR3 SDRAM有源预充电锤击故障的实验和根本原因分析
Hanyang Univ, Elect & Commun Engn Dept, 55 Hanyangdaehak Ro, Ansan 15588, Gyeonggi Do, South Korea;
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Active-precharge hammering on a row fault; DDR3 SDRAM; 3 x nm technology; TCAD device model; Cell retention time;
机译:DDR3 SDRAM的行锤避免分析
机译:DDR3 SDRAM标准技术分析
机译:DDR3 SDRAM中电源断开的故障特征分析
机译:在3×nm技术下对DDR3 SDRAM进行连续的有源预充电锤击会导致故障
机译:旋转机械中滚动轴承故障的分析:实验,建模,故障检测和诊断。
机译:多年生禾草试验中土壤根际和根系微生物群落的分离与分析
机译:DDR3 sDRam标准技术分析