机译:探索用于先进CMOS技术的保护设备中的鲁棒极限和ESD EMI影响
STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, F-38926 Crolles, France;
MAGWEL NV, Vital Decosterstr 44 Bus 27,1, B-3000 Leuven, Belgium;
SCR; ESD; TCAD; CMOS technology; EMI; Protection; Electromagnetic; Simulation; FA; HBM; CDM; Diode;
机译:使用基于ESD校准方法的TCAD工作台以先进的CMOS技术对ESD保护器件进行仿真
机译:先进的CMOS本体和FinFET技术中的ESD问题:处理,保护设备和电路策略
机译:高电流,晶格和热载流子温度对高级CMOS技术的β〜((2×2))矩阵ESD功率器件的可靠性影响
机译:先进FinFET和GAA纳米线CMOS技术中的ESD挑战:设计先进技术中基于二极管的ESD保护
机译:用于先进CMOS技术的ESD保护电路。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件,用于28 nm CMOS过程中的ESD保护