机译:估计单项不正常横截面的计算方法
Univ Montpellier, UMR CNRS 5214, Montpellier, France;
Univ Montpellier, UMR CNRS 5214, Montpellier, France;
Univ Montpellier, UMR CNRS 5214, Montpellier, France;
LIRMM, Montpellier, France;
Univ Montpellier, UMR CNRS 5214, Montpellier, France;
Univ Montpellier, UMR CNRS 5214, Montpellier, France;
Single event upset; Radiation effect; Monte Carlo;
机译:蒙特卡罗计算14 MeV中子引起的单事件扰动的横截面
机译:使用新的ENDF / B-VI质子和中子横截面进行单事件扰动计算
机译:估计SRAM DICE单元单事件翻转截面的半经验方法
机译:一种精确的器件级仿真方法,可通过在凸起层中使用硅厚度来估计单项爆冷的横截面
机译:Monte Carlo方法,用于预测SRAM脆弱性对μON和电子诱导的单一事件UPSETS
机译:IBEAS研究中两种估计不良事件的方法的比较(伊比利亚美洲不良事件研究):横断面研究和回顾性队列研究
机译:新型四重交叉耦合存储器单元设计,防止单事件upsets和双节点upsets
机译:从LET光谱和sEU截面测试结果计算单事件扰动率的准确有效方法