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机译:无损短路操作中1200 V SiC功率MOSFET损坏的平面氧化物的研究
Univ Toulouse, CNRS, LAPLACE, INPT,UPS, Toulouse, France;
Univ Toulouse, CNRS, LAPLACE, INPT,UPS, Toulouse, France;
Univ Toulouse, CNRS, LAAS CNRS, Toulouse, France;
ENS Cachan, CNRS, SATIE, CNAM, Cachan, France;
CNES, ITEC Lab, THLES Commun & Secur, Toulouse, France;
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