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机译:28 V-50 V SiC上的GaN S波段和X波段技术的可靠性比较
Wolfspeed, Res Triangle Pk, NC 27709 USA;
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GaN; SiC; HEMT; DC-ALT; RF-ALT; Intrinsic reliability; Wear-out;
机译:X波段相控阵雷达与X波段多普勒雷达和S波段工作雷达的观测能力比较
机译:用于提高28 nm节点技术及其他方面的线后端可靠性的工艺选项的比较
机译:高电压/大功率L / S波段Hbt技术的可靠性
机译:高性能块状平面20nm替代栅极high-k金属栅极技术的内在电介质堆叠可靠性以及与28nm栅极首次高k金属栅极工艺的比较
机译:顺磁无序固体的X波段ENDOR和S波段ESEEM。
机译:CDAI和SDAI指数与DAS-28指数在摩洛哥类风湿关节炎患者中的信度和效度
机译:使用GaN-on-SiC p-HEMT的2.5 GHz调谐范围的低噪声X波段微带VCO