机译:Ⅲ-N/介电界面的偏压温度不稳定性综述
Infineon Technol Austria AG, Siemensstr 2, A-9500 Villach, Austria;
Infineon Technol Austria AG, Siemensstr 2, A-9500 Villach, Austria;
Infineon Technol Austria AG, Siemensstr 2, A-9500 Villach, Austria;
TU Wien, Inst Solid State Elect, Floragasse 4, A-1040 Vienna, Austria;
PBTI; GaN; Interface; MIS-HEMT;
机译:具有氧氮化铝电介质的SiC金属氧化物半导体器件中改善的偏置温度不稳定性
机译:具有HfO_2 / LaO_x和HfO_2 / AlO_x介电叠层的MOSFET正负偏置温度不稳定性的比较
机译:HfSiON栅介质pMOSFET中双极性电荷陷阱引起的异常负偏置温度不稳定性。
机译:HfO
机译:高k电介质氧化锌薄膜晶体管的电不稳定性和界面电荷的研究。
机译:纳米复合电介质中纳米粒子与聚合物界面的局部介电性能检测
机译:在偏压温度胁迫下的SiON和高k栅极电介质中的“切换缺陷”