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机译:适用于28 nm HKMG技术的自适应加速老化
Arizona State Univ, Sch ECEE, Tempe, AZ 85287 USA;
Purdue Univ, Sch ECE, W Lafayette, IN 47907 USA;
Purdue Univ, Sch ECE, W Lafayette, IN 47907 USA;
Boeing Co, Seattle, WA USA;
Boeing Co, Seattle, WA USA;
Purdue Univ, Sch ECE, W Lafayette, IN 47907 USA;
Arizona State Univ, Sch ECEE, Tempe, AZ 85287 USA;
NBTI; PBTI; HCI; TDDB; Accelerated aging; EOL; Circuit aging;
机译:利用28nm HKMG CMOS中的所有数字电流比较器的0.41μA待机泄漏32 kb嵌入式SRAM具有低压恢复-待机功能
机译:123μA待机电源技术,带有1.8V I / O NMOS电源开关,在28nm HKMG技术中具有增强的EM抗扰性
机译:123μA待机电源技术,带有1.8V I / O NMOS电源开关,在28nm HKMG技术中具有增强的EM抗扰性
机译:采用28nm HKMG技术的自适应加速老化
机译:自适应特征表示,以改进,解释和加速浅水声环境的信道估计和预测
机译:ADAPT-NMR 3.0:利用BEST型三共振NMR实验来加速数据收集和分配过程
机译:30 GHz自适应接收器均衡设计使用28 nm CMOS技术