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机译:微波退火对SOI MOSFET的影响:低热预算的金属后退火
Kwangwoon Univ, Dept Elect Mat Engn, Seoul 139701, South Korea;
Kwangwoon Univ, Dept Elect Mat Engn, Seoul 139701, South Korea;
Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFEF); Microwave irradiation (MWI); Post-metal anneal (PMA); Silicon-on-insulator (SOI);
机译:微波退火,用于磷注入的MOSFET器件中掺杂剂激活的低热预算工艺
机译:使用Hfo_2和硅界面钝化层的自对准N沟道Gaas金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfets):金属后退火优化
机译:MOSFET的氘后金属退火,以提高热载流子的可靠性
机译:作为金属后退火工艺的微波退火对高k /金属栅MOS电容器的研究
机译:微波退火对低能离子注入晶圆的影响。
机译:热损坏微波退火具有高效的能量转换用于在柔性基板上制造高性能A-IGZO薄膜晶体管
机译:湿氧化/退火对热氧化SiO2 / SiC MOS系统和MOSFET界面性能的影响