机译:使用高分辨率测量技术对LDD NMOSFET的热载流子退化建模
机译:通过电荷泵浦测量对LDD NMOSFET自限热载流子退化的新评估
机译:低栅极电压应力下具有超薄栅极氧化物的90 nm栅极长度LDD- NMOSFET的热载流子退化
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机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:使用两个HPGe检测器(BEGe-6530和GC0818-7600SL型号)比较技术在伽马射线光谱法中精确测量放射性:在土壤测量中的应用
机译:LDD-nmOsFET的I-V特性建模与热载流子注入引起的缺陷有关