机译:GaAs MESFET和基于InP的HEMT中通态击穿电压的直流和脉冲测量
机译:GaAs MESFET和HEMT中弱雪崩效应和强雪崩效应的脉冲测量和电路建模
机译:基于InP的InAlAs / InGaAs HEMT中的体接触及其对击穿电压和扭折抑制的影响
机译:测量HEMT中导通状态击穿电压的新栅极电流提取技术
机译:在GaAs Mesfet和基于INP的HEMTS中的鼻窦击穿测量
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:功率HEMT的状态故障:测量和建模
机译:高击穿电压mEsFET,具有低温生长的Gaas钝化层和重叠栅极结构。 (重新公布新的可用性信息)