机译:耐用差错,1.25GHz至3.125 GHz,3.18 ps rms-jitter cppll,40 nm cmos过程
IEEE Beijing Peoples R China;
IEEE Beijing Peoples R China;
IEEE Beijing Peoples R China;
IEEE Beijing Peoples R China;
IEEE Beijing Peoples R China;
Charge-pump-phase-locked-loop (CPPLL); Single-event-upset (SEU); Single-event-transient (SET); Dual-mode-interlocking (DMI); Divider resistance;
机译:基于65 nm CMOS的两级环形振荡器的40 Gb / s串行链路发送器的7.6 mW,414 fs RMS抖动10 GHz锁相环
机译:用于65nm CMOS的移动DRAM接口的,具有1.1ps误差的2.3mW 0.01mm 2 1.25GHz正交信号校正器
机译:极点控制的宽带120 GHz CMOS功率放大器,用于40 nm CMOS工艺中的无线芯片间通信
机译:全数字40nm CMOS中的1.25mW 0.8–28.2GHz电荷泵PLL,具有0.82ps RMS抖动
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:具有锁模结构的2.4 GHz CMOS功率放大器可增强增益
机译:4位36 GS / S ADC,具有18 GHz模拟带宽,在40 nm CMOS过程中