机译:单一事件锁存灵敏度:温度效应和收集的作用
Univ Montpellier IES UMR UM CNRS 5214 Montpellier France;
Univ Montpellier IES UMR UM CNRS 5214 Montpellier France;
Univ Montpellier IES UMR UM CNRS 5214 Montpellier France|European Org Nucl Res CERN CH-1211 Geneva Switzerland;
Aix Marseille Univ Inst Mat Microelect Nanosci Provence Marseille France;
KU Leuven Univ Adv Integrated Sensing Lab Leuven Belgium;
Univ Montpellier IES UMR UM CNRS 5214 Montpellier France;
Univ Montpellier IES UMR UM CNRS 5214 Montpellier France;
Univ Montpellier IES UMR UM CNRS 5214 Montpellier France;
Single-Event Latchup; TCAD simulations; Cross section; Temperature effects; Collected charge;
机译:CMOS技术对重离子辐照的单事件闩锁灵敏度的角度依赖性分析
机译:入射角对质子和中子诱导的单事件闩锁的影响
机译:粒子能量对质子诱导的单事件闩锁的影响
机译:用于火星任务的无线和电力线网络通信设备上的单事件闩锁测量
机译:单事件效应下CMOS FinFET结构的表征-基本电荷收集机制和软错误模式
机译:基于RuO2 / GO的阵列式柔性氯传感器在不同温度下的灵敏度和漂移效应研究
机译:基于cmos技术中耦合物理和电气瞬态仿真的单事件闩锁建模