机译:GaN Hemts的脱态诱捕现象:栅极捕获,受体电离和正电荷再分布之间的相互作用
Univ Padua Dept Informat Engn Padua Italy;
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ON Semicond Oudenaarde Belgium;
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p-GaN HEMTs; Normally-off; Drain bias stress; Threshold voltage instability; Dynamic R-ON; OFF-state trapping; Gate trapping; Buffer trapping; Acceptor ionization; Positive charge redistribution; Carbon doping;
机译:具有原位Si_3N_4 / Al_2O_3双层栅极电介质的AlGaN / GaN MIS-HEMT上正栅极偏置后的缓慢去陷阱现象分析
机译:考虑栅极下方势垒层中受体样陷阱的AlGaN / GaN HEMT跨导非线性研究
机译:包含陷阱电荷和极化感应电荷的三材料栅极AlGaN / GaN HEMT的沟道电势和阈值电压的分析模型
机译:AlGaN / GaN HEMTS对缓冲陷阱,栅极偏置和场板的依赖性
机译:CMOS VLSI和EEPROMs绝缘子中电离辐射诱导的电荷陷阱和界面陷阱产生的研究。
机译:二维电子气上的供体样表面陷阱以及AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌
机译:正栅偏压下GaN立式翅片FET中电荷捕获机制的特征