机译:ALGAN屏障对P-GAN门的电力HEMT长期浇口可靠性的作用
Univ Bologna ARCES DEI Cesena Italy;
imec vzw PMST Leuven Belgium;
imec CMST Ghent Belgium|Univ Ghent Ghent Belgium;
imec vzw PMST Leuven Belgium;
Univ Bologna ARCES DEI Cesena Italy;
Univ Bologna ARCES DEI Cesena Italy;
机译:具有P-GaN栅极和电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的新型高击穿电压和高开速GaN HEMT
机译:载流子注入对p-GaN栅极AlGaN / GaN功率HEMT中阈值电压的影响
机译:载波注入对P-GaN栅极AlGaN / GaN功率HEMTS阈值电压的影响
机译:长期正向栅极应力后p-GaN AlGaN / GaN HEMT中自恢复栅极退化的观察:空穴/电子的俘获和去俘获动力学
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:常关P-GaN门控AlGaN / GaN Hemts使用等离子体氧化技术在接入区域中